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       IR1150(S)/IR1150I(S)(PbF)
www.irf.com 
 
 
 
4
 
 
Internal Voltage Reference Section 
Parameters 
Symbols    Min. 
Typ.    Max. 
Units    Remarks 
Reference voltage
V
REF
 
6.9
7.0
7.1
V
T
A
 = 25贑
Line regulation
R
REG
 

12
25
mV
13.5V
CC
  < 20V
Temp stability
T
STAB
 

0.4

%
  -25贑 dT
AMB
d 125贑
Total variation
V
TOT
 
6.8

7.1
V
Over V
CC
  and T
j
ranges
Voltage Error Amplifier Section     
 
 
 
 
 
Parameters 
Symbols    Min. 
Typ.    Max. 
Units    Remarks 
Transconductance
g
m
 
30
40
55
礢
  -25贑 dT
AMB
d 125贑
Source/sink current
I
OVEA
 
30
20
40
45
65
90
礎
  T
AMB
= 25贑
  -25贑 dT
AMB
d 125贑
Soft start delay time
(calculated)
t
ss
 

40

ms
R
GAIN
=1k& , C
ZERO
=0.33礔
C
POLE
=0.01礔, fXO=28Hz

1.2
1.5
VCOMP voltage (fault)
V
COMP FLT
 
 
 
0.2
V
@ 1mA (max) initial
@ 25礎 steady state
Effective VCOMP voltage
V
COMP EFF
 
 
6.05
 
V
 
Input bias current
I
IB
 

-0.2
-0.5
礎
V
FB
=0V
-25贑 d T
AMB
d 125贑
Open loop bandwidth
BW

1

MHz
 
Input offset voltage temp
coefficient
TC
IOV
 


10
礦/贑     Note 1
Common mode rejection ratio
CMRR

100

dB
 
Output low voltage
V
OL
 


0.5
V
 
Output high voltage
V
OH
 
5.71
6.15
6.8
V
 
VCOMP start voltage
V
COMP START
 
300
500
700
mV
 
Current Amplifier Section 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Parameters 
Symbols    Min. 
Typ. 
Max. 
Units    Remarks 
DC gain
g
DC
 

2.5

V/V
 
Corner frequency
f
C
 
200

280
kHz
Note 1
Input offset voltage
V
IO
 

1
4
mV
Note 1
ISNS bias current
?/DIV>
IB
 

200
300
礎
V
FB
=0V,-25贑 d T
AMB
d 125贑
Input offset voltage temp
coefficient
TC
IOV
 


10
礦/贑
Note 1
Common mode rejection ratio
CMRR

100

dB
 
230
350
450
ns
Blanking time
T
BLANK
 
150
 
600
ns
T
AMB
 = 25贑
  -25贑 dT
AMB
d 125贑
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